低溫及高溫蓄冷熱儲(chǔ)存槽,依試驗(yàn)需要移動(dòng)測試品,而達(dá)到快速?zèng)_擊效果,自研溫度平衡技術(shù)，有別于傳統(tǒng)使用大功率制冷對(duì)抗大功率加熱的冷凍平衡技術(shù)，采取通斷式制冷能量調(diào)節(jié)技術(shù)—中央控制器根據(jù)不同的溫度點(diǎn)控制冷量大小，以達(dá)到溫度靜平衡，同時(shí)讓設(shè)備運(yùn)行始終處于相對(duì)低功耗的狀態(tài)，節(jié)能環(huán)保。
冷熱沖擊試驗(yàn)箱適用于太陽能光伏組件、電池、汽車部件、LED光電、半導(dǎo)體、航空、汽車、家電、科研等領(lǐng)域必備的測試設(shè)備，用于測試和確定電工、電子及其他產(chǎn)品及材料進(jìn)行高低溫試驗(yàn)的溫度環(huán)境沖擊變化后的參數(shù)及性能。
為航天、航空、電子、汽車、電池等產(chǎn)品與質(zhì)檢所、研究院、高等院校等試驗(yàn)單位，提供虛空間模擬真實(shí)環(huán)境，對(duì)產(chǎn)品檢驗(yàn)、研發(fā)成果的驗(yàn)證，試驗(yàn)箱是縮短開發(fā)周期，提升產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性不可缺的得力助手。
低溫及高溫蓄冷熱儲(chǔ)存槽,依試驗(yàn)需要移動(dòng)測試品,而達(dá)到快速?zèng)_擊效果,自研溫度平衡技術(shù)，有別于傳統(tǒng)使用大功率制冷對(duì)抗大功率加熱的冷凍平衡技術(shù)，采取通斷式制冷能量調(diào)節(jié)技術(shù)—中央控制器根據(jù)不同的溫度點(diǎn)控制冷量大小，以達(dá)到溫度靜平衡，同時(shí)讓設(shè)備運(yùn)行始終處于相對(duì)低功耗的狀態(tài)，節(jié)能環(huán)保。
產(chǎn)品名稱 | 二槽式冷熱沖擊試驗(yàn)箱 |
產(chǎn)品型號(hào) | PW-CTS2-150-60W |
內(nèi)箱尺寸 | W600×D500×H500mm（寬X深X高） |
外箱尺寸約 | W1430×D2150×H2000mm（寬X深X高） |
內(nèi)箱容積 | 150L |
開門方式 | 上下雙開門(右邊開) |
冷卻方式 | 水冷式 |
機(jī)器重量 | 約1150KG |
電源功率 | AC 380V 42 KW |
機(jī)身顏色 | PW標(biāo)準(zhǔn)色或（按客戶要求定制） |
工作噪聲
| A聲級(jí)≤75dB(A) (大門前1m離地面高度1.2m處，自由空間中測量) |
高溫箱 | ⑴ 熱上限溫度：+200℃ ⑵ 溫時(shí)間：常溫→+200℃ ≤40min 注：升溫時(shí)間為高溫箱單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能 |
低溫箱 | ⑴ 預(yù)冷下限溫度：-75℃ ⑵ 降溫時(shí)間: 常溫→-75℃≤60min 注：降溫時(shí)間為低溫箱單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能 |
沖擊溫度 | ⑴ 高溫沖擊溫度范圍：+60℃～+150℃ ⑵ 低溫沖擊溫度范圍：-60℃～0℃ 溫度波動(dòng)度:≤±0.5℃ 溫度均勻度：±2.0℃ ±1.5℃（≤+100℃時(shí)） ±2.0℃（＞+100℃時(shí)） |
溫度分辨率 | 0.01℃ |
沖擊試驗(yàn)方式 | 氣動(dòng)垂直吊籃式 |
沖擊恢復(fù)時(shí)間 | ≤5min以內(nèi)完成（低溫沖擊不低于-50℃時(shí)） ≤8min以內(nèi)完成（低溫沖擊-50℃～-60℃時(shí)） |
吊藍(lán)轉(zhuǎn)換時(shí)間 | 10秒以內(nèi)完成 |
標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載能力 | 300W發(fā)熱量 5kg鋁片 |
本 試 驗(yàn) 設(shè) 備 禁 止 | 易爆、易燃、易揮發(fā)性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)及儲(chǔ)存 腐蝕性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)及儲(chǔ)存 生物試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存 強(qiáng)電磁發(fā)射源試樣的試驗(yàn)及儲(chǔ)存 放射性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)及儲(chǔ)存 劇毒物質(zhì)試樣的試驗(yàn)及儲(chǔ)存 試驗(yàn)或儲(chǔ)存過程中可能產(chǎn)生劇毒物質(zhì)的試樣的試驗(yàn)及儲(chǔ)存 |
測 試 標(biāo) 準(zhǔn) | ●GB/T5170.2-2017環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法 第2部分：溫度試驗(yàn)設(shè)備 ●GB/T2423.1-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)A： 低溫。 ●GB/T2423.2-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B：高溫。 ●GB/T 2423.22-2012 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)N：溫度變化 ●GJBl50.3-86 高溫試驗(yàn)方法。 ●GJBl50.4-86 低溫試驗(yàn)方法。 ●GJB150.5-86 溫度沖擊試驗(yàn) |
